IMDS重磅嘉賓 | 中科院院士江風益將出席國際Mini/MicroLED供應鏈創新發展峰會
2021-06-07 11:07:36
倒計時
26-Day countdown to DIC 2021
2021年是Mini LED顯示技術成熟商用化元年。在技術層面上，我們仍然面臨著半導體及顯示行業技術跨界融合的巨大挑戰，整個工藝及產業鏈上仍然存在如LED芯片微縮化、間距縮小、巨量轉移、缺陷修補等諸多問題待克服。
在此背景下，中國光學光電子行業協會液晶分會將聯合中國光學光電子行業協會LED顯示應用分會、中國知名電子信息產業咨詢公司CINNO Research在DIC 2021展會同期，以「跨界融合、創新發展」為主題，舉辦首屆「國際Mini/MicroLED供應鏈創新發展峰會（IMDS）」，并邀請到Mini/Micro LED供應鏈中的核心企業家們相聚一堂，圍繞Mini/MicroLED供應鏈發展中所面臨的機遇和挑戰，探討如何通過上下游協作，整合設備、材料、生產、工藝、應用、品牌等資源，攜手打好破局之戰，實現良好開端！
演講嘉賓
中國科學院院士/南昌大學黨委委員兼副校長
江風益
目前，Micro-LED技術正面臨兩大挑戰，首先是大家熟知的實現巨量轉移技術非常困難，另一個就是缺乏高效可靠的紅光Micro-LED芯片。
目前的紅光LED是由AlGaInP材料制成，在正常芯片尺寸下，其效率高達60%以上。然而，當芯片尺寸縮小到微米量級時，其效率會急劇降低到1%以下。此外，AlGaInP材料較差的力學性能給巨量轉移增加了新的困難，因為巨量轉移要求材料具有良好的機械強度，以避免在芯片抓取和放置過程中出現開裂。
InGaN材料在具有較好機械穩定性和較短空穴擴散長度的同時，又與InGaN基綠光、藍光Micro-LED兼容，是紅光Micro-LED的較佳選擇。然而，InGaN基紅光量子阱存在嚴重的銦偏析問題，這將導致紅光量子阱中的非輻射復合增加，從而引起效率降低。在過去20年的研究中，InGaN基紅光LED功率轉換效率不足2.5%。銦偏析問題嚴重阻礙了InGaN基紅光LED的發展。因此，如何解決銦偏析問題是獲得高效InGaN基紅光LED的關鍵。
去年，南昌大學的江風益院士課題組在Photonics Research 2020年第8卷第11期上展示了他們最新研制的高光效InGaN基橙-紅光LED結果。
(a) 高光效橙光LED外延材料結構示意圖 (b) 其斷面TEM測試結果
此項工作基于硅襯底氮化鎵技術，引入了銦鎵氮紅光量子阱與黃光量子阱交替生長方法，并結合V形坑技術，從而大幅緩解了紅光量子阱中高In組分偏析問題。再依據V形p-n結和量子阱帶隙工程大幅提升了紅光量子阱中的輻射復合速率。
使用該技術成功制備了一系列高效的InGaN基橙-紅光LED。當發光波長分別為594nm、608nm和621nm時，其功率轉換效率分別為30.1%、24.0%以及 16.8%，光效相較于以往報道的相同波段InGaN基LED結果整體提高了約十倍。
研究人員認為，該項技術在未來還有較大的進步空間，同時該團隊的實驗結果也證明了InGaN材料在制作顯示應用的紅光像素芯片上將有巨大潛力和美好前景。
參會費用
票價：3500元/人；
早鳥價：3000元/人，優惠碼：【DIC2021】5.31前報名專享
（早鳥價已截止~）
會員價：3000元/人（液晶分會CODA會員專享，會員碼請聯系協會工作人員索取）
聯系方式
CODA
Mobile: 010-5716-1800
E-mail: member@coda.sinanet.com
JTB 胡女士
Mobile: +86 18616824191
E-mail: dic2021@jtbsha.com
想獲取免費聽會名額？
轉發此文至10個行業微信群，即可獲贈免費門票1張！
轉發此文至20個行業微信群，即可獲贈免費門票2張！
以此類推…
最多不超過5張！主論壇、產業培訓課除外。
轉發截圖，后臺留言發送小編，
立馬得免費門票！
2021年DIC EXPO觀眾火熱報名中……
展會時間：2021.6.30-7.2
展會地址：上海新國際博覽中心
